Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 400А

Немає в наявності
Код товару: SIR158DP-T1-GE3
70,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR158DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 130нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 400А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 47мкГн; 0,72А; R: 0,37Ом
Реактор: дротяний; SMD; 47мкГн; 0,72А; R: 0,37Ом

9,69 грн

Властивості дроселів:
велика потужність
Застосування реакторів:
перетворювачі DC/DC
Індуктивність:
47мкГн
Корпус - мм:
0504
Антена: комунікаційна; GSM,ISM,WiFi; -5дБі; лінійна; на панель
Антена: комунікаційна; GSM,ISM,WiFi; -5дБі; лінійна; на панель

549,92 грн

Type of antenna:
communication
Вид антени:
GSM; ISM; WiFi
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
47мм
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; екранований,правий,прямий; 1м
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; екранований,правий,прямий; 1м

1590,22 грн

Довжина кабелю:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 2,67кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 2,67кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; SMD; DO213AA; 2мкА
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; SMD; DO213AA; 2мкА

343,39 грн

Зенерівська напруга:
6,4В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
IC: рація Ethernet; full duplex,GMII,half duplex,MDI-X; VQFN72
IC: рація Ethernet; full duplex,GMII,half duplex,MDI-X; VQFN72

331,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
MAC; PHY
Інтерфейс:
full duplex; GMII; half duplex; MDI-X
Категорія Ethernet:
10/100/1000Base-T
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 220А; PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 220А; PDFN5060-8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PDFN5060-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 25,5А; Idm: 168А; 30,4Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 25,5А; Idm: 168А; 30,4Вт

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96,1Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96,1Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23,7нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 12,6А; Idm: 80А; 59,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 12,6А; Idm: 80А; 59,5Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,8нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт; TO263

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 14,5А; Idm: 58А; 66Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 14,5А; Idm: 58А; 66Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
TO252