1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 80А; Idm: 300А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 80А; Idm: 300А
Немає в наявності
Код товару: SIRA62DP-T1-RE3
127,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIRA62DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 93нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -12...16В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1,85мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 80А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; Xtra Guard® 1; 6x2x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 30,5м
Провід; Xtra Guard® 1; 6x2x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 30,5м

71728,42 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; подвійно екранований; фольга Al-PET-Al
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Ключ: тріскачка; 1/2"; 255мм; Зуби: 72
Ключ: тріскачка; 1/2"; 255мм; Зуби: 72

407,38 грн

Довжина:
255мм
Кількість зубів:
72
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/2"
Тип ключа:
тріскачка
Connector: wire-board; male; data; INTERLOCK; Inom: 5A; PIN: 48; 3mm
Connector: wire-board; male; data; INTERLOCK; Inom: 5A; PIN: 48; 3mm

1936,14 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
48
Недоступний
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; пластик
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; пластик

777,37 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
0,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 1206; 180мм

3,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Cleaning cloth: sanding cloth; Granularity: 60; 230x280mm
Cleaning cloth: sanding cloth; Granularity: 60; 230x280mm

12,54 грн

Виконання:
аркуш
Гранулювання:
60
Матеріал носія:
synthetic resin
Розміри:
230x280мм
Недоступний
Фільтр: проти перешкод; трифазний; 530ВAC; пригвинчуваний
Фільтр: проти перешкод; трифазний; 530ВAC; пригвинчуваний

6623,17 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Вид фільтру:
трифазний
Монтаж:
пригвинчуваний
Робоча напруга:
530В AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В