Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 169А; Idm: 300А

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 169А; Idm: 300А
Brand: VISHAY
SKU: SIJ438ADP-T1-GE3
Price: 47.52 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SIJ438ADP-T1-GE3

47,52 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SIJ438ADP-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

162нКл

Корпус:

PowerPAK® SO8

Монтаж:

SMD

Напруга сток-джерело:

40В

Опір в стані провідності:

1,75мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

69,4Вт

Струм стока:

169А

Струм стоку в імпульсі:

300А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Заряд затвора:
22,4нКл

Корпус:
TSOT26

Бажані

Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
41нКл

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±30В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-25В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
DPAK