Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 30А; Idm: 60А

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 30А; Idm: 60А
Brand: VISHAY
SKU: SIAA40DJ-T1-GE3
Price: 27.12 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SIAA40DJ-T1-GE3

27,12 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SIAA40DJ-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

24нКл

Корпус:

PowerPAK® SC70

Монтаж:

SMD

Напруга сток-джерело:

40В

Опір в стані провідності:

16мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

19,2Вт

Струм стока:

30А

Струм стоку в імпульсі:

60А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,8нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
PowerDI®3333-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1нКл

Корпус:
SOT523

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
4,6нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD