Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 42,5А; Idm: 150А

Немає в наявності
Код товару: SI4038DY-T1-GE3
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4038DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 87нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 3,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,8Вт
Струм стока: 42,5А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 78,7Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 78,7Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Діод: TVS; 600Вт; 9,44÷10,4В; 41,7А; односпрямована; ±5%; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 9,44÷10,4В; 41,7А; односпрямована; ±5%; SMBJ

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
8,5В
Реле: електромагнітнe; 28ВDC; на панель; ton/off: 15мс; toff: 15мс
Реле: електромагнітнe; 28ВDC; на панель; ton/off: 15мс; toff: 15мс

71682,17 грн

Матеріал контакту:
AgCdO
Монтаж:
на панель
Напруга котушки:
28В DC
Номінальний струм:
25А
Недоступний
Маркер: кабельний; 4÷10мм; ПВХ; прозорий; CLI T; UL94V-0; H: 30мм
Маркер: кабельний; 4÷10мм; ПВХ; прозорий; CLI T; UL94V-0; H: 30мм

7,48 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
кабелів і проводів
Висота:
30мм
Зовнішній діаметр проводу:
4...10мм
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 84,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 84,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 1.5A

676,64 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 261кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B
Резистор: thick film; 261кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B

1,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO263