1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 150А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 150А
Немає в наявності
Код товару: SIRA54DP-T1-GE3
48,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIRA54DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 104нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 3,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 23,5Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: перемикальний; SMD; 80В; 0,1А; 4нс; SC89; Ufmax: 1,2В; Ifsm: 4А
Діод: перемикальний; SMD; 80В; 0,1А; 4нс; SC89; Ufmax: 1,2В; Ifsm: 4А

12,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
80В
Корпус:
SC89
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 53,3В; 19,4А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 53,3В; 19,4А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

89,96 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
48В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 6,3В; X7R; ±5%; SMD; 0201; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 6,3В; X7R; ±5%; SMD; 0201; 330мм

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Маркер: кабельний; Маркування: 9; 2÷3,2мм; ПВХ; білий; -45÷70°C
Маркер: кабельний; Маркування: 9; 2÷3,2мм; ПВХ; білий; -45÷70°C

1,01 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
кабелів і проводів
Зовнішній діаметр проводу:
2...3,2мм
Колір:
білий
Маркування:
9
Недоступний
IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100
IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100

534,72 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
лоток; туба
Корпус:
QFP100
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 20В; 51,4А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 20В; 51,4А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

75,39 грн

Зворотна напруга макс.:
18В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 1А; Iмакс: 25А; 0603; 1,8x1x1мм
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 1А; Iмакс: 25А; 0603; 1,8x1x1мм

4,37 грн

Зовнішні розміри:
1,8x1x1мм
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Максимальна напруга:
8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; SOT23

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
8,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,2А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,2А; 1,6Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; 41Вт; PQFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; 41Вт; PQFN8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
PQFN8
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 3,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 3,1А; 2,5Вт; SO8

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,9А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,9А; 0,35Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт

696,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
60нКл