1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMM26N60F2
105,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMM26N60F2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22,1нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,21Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 135Вт
Струм стока: 10,5А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Технологія: WMOS™ F2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 4,22кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 4,22кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: HDC; Han 24EMC/B-HTE-2xM32 (HT)
Корпус для з’єднувачів: HDC; Han 24EMC/B-HTE-2xM32 (HT)

2434,75 грн

Engineering PN:
Han 24EMC/B-HTE-2xM32 (HT)
Тип корпусу для з’єднувачів:
HDC
Недоступний
Резистор: thin film; 174Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 174Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В

35,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Connector: wire-board; male; data; 1A; 125V; PIN: 8; shrouded
Connector: wire-board; male; data; 1A; 125V; PIN: 8; shrouded

49,42 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
8
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 150мкФ; 6,3ВDC; SMD; X; 2917; ±20%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 150мкФ; 6,3ВDC; SMD; X; 2917; ±20%; TAJ

49,42 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
150мкФ
Корпус:
X
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; NQ; 200В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 11А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 11А

385,83 грн

Alias:
SLD 5.08V/22/90 3.2 SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
28,7мм
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223