Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 51А; Idm: 100А

Немає в наявності
Код товару: SIR4604LDP-T1-GE3
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR4604LDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 28нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 12,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 41,6Вт
Струм стока: 51А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; Xtra Guard® 1; 19x16AWG; неекранований; 600В; 305м; Cu
Провід; Xtra Guard® 1; 19x16AWG; неекранований; 600В; 305м; Cu

1429722,36 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA AWM I/II A/B FT4; UL 1015; UL 2501; UL 21896; VW-1
Недоступний
Click board; макетна плата; Комп: ACS733; датчих Холла; 3,3ВDC
Click board; макетна плата; Комп: ACS733; датчих Холла; 3,3ВDC

1091,61 грн

Вид модуля:
датчих Холла
Інтерфейс:
аналоговий
Компоненти:
ACS733
Напруга живлення:
3,3В DC
Недоступний
Маркер: кабельний; ABS; прозорий; FLEXIMARK®; кабелів і проводів
Маркер: кабельний; ABS; прозорий; FLEXIMARK®; кабелів і проводів

2714,78 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
кабелів і проводів
Довжина:
1м
Клас горючості:
UL94V-0
Колір:
прозорий
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 189В; 2,2А; двоспрямована; DO214AA,SMB
Діод: TVS; 600Вт; 189В; 2,2А; двоспрямована; DO214AA,SMB

28,51 грн

Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
170В
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Трансформатор: литий; 6ВА; 230ВAC; 15В; 400мА; PCB; BVEI
Трансформатор: литий; 6ВА; 230ВAC; 15В; 400мА; PCB; BVEI

0,00 грн

Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6:2000; UL 5085-1; UL 5085-3
Вторинна напруга 1:
15В
Зовнішні розміри:
63,7x37,2x32,3мм
Монтаж:
PCB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD