1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 43,5А; Idm: 120А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 43,5А; Idm: 120А
Немає в наявності
Код товару: SISS30ADN-T1-GE3
103,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISS30ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 10,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 36Вт
Струм стока: 43,5А
Струм стоку в імпульсі: 120А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: цифровий; тригер D; Ch: 2; CMOS; HC; SMD; SO14; ролик,cтрічка
IC: цифровий; тригер D; Ch: 2; CMOS; HC; SMD; SO14; ролик,cтрічка

18,37 грн

Вид об'єднаної схеми:
тригер D
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
2
Корпус:
SO14
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 25pin,D-Sub HD 44pin
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 25pin,D-Sub HD 44pin

592,37 грн

Діаметр проводу макс.:
12,5мм
Застосування роз’ємів:
D-Sub 25pin; D-Sub HD 44pin
Матеріал корпусу:
метал
Модель роз’єму:
екранований
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; 16МГц; VQFN32; I2C,IrDA,SPI,UART
IC: мікроконтролер MSP430; 16МГц; VQFN32; I2C,IrDA,SPI,UART

183,73 грн

Вид архітектури:
MSP430
Інтерфейс:
I2C; IrDA; SPI; UART
Кількість таймерів 16бит:
4
Корпус:
VQFN32
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; односпрямована; DO15,DO204AC; BZW04; ролик
Діод: TVS; 0,4кВт; односпрямована; DO15,DO204AC; BZW04; ролик

4,31 грн

Вид упаковки:
ролик
Зворотна напруга макс.:
17В
Корпус:
DO15; DO204AC
Монтаж:
THT
Недоступний
Driver; перетворювач DC/DC,контролер LED; 1А; U-DFN3030-6; SMD
Driver; перетворювач DC/DC,контролер LED; 1А; U-DFN3030-6; SMD

28,51 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер LED; перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
1А
Властивості інтегральних мікросхем:
PWM; лінійне затемнення
Недоступний
Резистор: thin film; 47кОм; SMD; MELF; 0207; 500мВт; ±1%; Ø2,2x5,9мм
Резистор: thin film; 47кОм; SMD; MELF; 0207; 500мВт; ±1%; Ø2,2x5,9мм

4,62 грн

Діаметр:
2,2мм
Довжина:
5,9мм
Допуск:
±1%
Корпус:
MELF
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); BZ; -55÷85°C; 4,17Н
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); BZ; -55÷85°C; 4,17Н

646,86 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Конфігурація контактів:
SPDT
Матеріал контакту:
срібло
Матеріал корпусу:
фенол
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD