Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 59,6А; Idm: 150А

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 59,6А; Idm: 150А
Brand: VISHAY
SKU: SIR122DP-T1-RE3
Price: 37.00 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SIR122DP-T1-RE3

37,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SIR122DP-T1-RE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

44нКл

Корпус:

PowerPAK® SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

80В

Опір в стані провідності:

9мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

65,7Вт

Струм стока:

59,6А

Струм стоку в імпульсі:

150А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 3А; 0,35Вт; SOT23

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
42,8нКл

Корпус:
HSOP8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 10мА; 0,2Вт; SC59; Igt: 10мА

43,72 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SC59

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-15В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7

302,84 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
156нКл

Корпус:
TO263-7

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
9нКл

Корпус:
SOT223

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь

520,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
47нКл

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
18,2нКл

Корпус:
WDFN8