1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 18А; Idm: 72А

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 18А; Idm: 72А
Немає в наявності
Код товару: WML18N50D1B
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WML18N50D1B
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,28Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 44,6Вт
Струм стока: 18А
Струм стоку в імпульсі: 72А
Технологія: WMOS™ D1
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 91В; SMD; 50нА
Діод: зенера; 500мВт; 91В; SMD; 50нА

759,00 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
91В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; R: 70мОм; ±20%; NRS; 2,2А; 8x8мм
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; R: 70мОм; ±20%; NRS; 2,2А; 8x8мм

12,35 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо; ферит
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,18мкФ; 400ВDC; 18,5x5,4x17,5мм
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,18мкФ; 400ВDC; 18,5x5,4x17,5мм

7,48 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,18мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
5мм
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 233÷258В; 1,8А; двоспрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 233÷258В; 1,8А; двоспрямована; SMB; SMBJ

5,39 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
210В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; UQFN20; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; UQFN20; PIC16

73,49 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP x4; CLC x4; CWG x2; NCO; PMD; PoR; PPS
Генератор вбудований:
32кГц; 32МГц
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 71,1÷78,9В; двоспрямована; ±5%; SMA; P4SMAJ
Діод: TVS; 400Вт; 71,1÷78,9В; двоспрямована; ±5%; SMA; P4SMAJ

8,11 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
64В
Корпус:
SMA
Недоступний
Провід; LiYD11Y; UNITRONIC® LiYD11Y; 2x0,25мм2; PUR; чорний; 250В
Провід; LiYD11Y; UNITRONIC® LiYD11Y; 2x0,25мм2; PUR; чорний; 250В

155,85 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з мідного дроту
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
LiYD11Y
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 47А; 415Вт; PG-TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 47А; 415Вт; PG-TO247-3

594,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 34А; 46Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 34А; 46Вт; TO220FP

191,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 125А; 136Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 125А; 136Вт; TO220-3

100,74 грн

Заряд затвора:
69нКл
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 75А; 285Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 75А; 285Вт; TO247

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14,9А; 310Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14,9А; 310Вт; TO3PN

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
145нКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 21Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 21Вт; TO220FP

121,64 грн

Заряд затвора:
5,7нКл
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Поляризація:
польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92

46,88 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT