Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 7А; 70Вт; TO251

Немає в наявності
Код товару: WMP08N80M3
25,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMP08N80M3
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1,38Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 70Вт
Струм стока: 7А
Технологія: WMOS™ M3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Тиристор: TSS; Urmax: 58В; SMB; SMD; 100А; односпрямована; UBO: 70В
Тиристор: TSS; Urmax: 58В; SMB; SMD; 100А; односпрямована; UBO: 70В

62,09 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
58В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Допоміжні контакти; CO x2; OsiSense
Допоміжні контакти; CO x2; OsiSense

2472,76 грн

Застосування - серія/виробник:
OsiSense
Комплектуючі систем управління:
допоміжні контакти
Конфігурація виходу:
CO x2
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THR,THT; 3A

342,12 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
7,7мм
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Запобіжник: плавка; NH4; керамічний; 400А; 690ВAC; aM
Запобіжник: плавка; NH4; керамічний; 400А; 690ВAC; aM

4680,70 грн

Вид запобіжника:
керамічний
Застосування запобіжників:
захист приймачів з високими пусковими струмами
Номінальна напруга:
690В AC
Номінальний струм:
0,4кА
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 1.5A

209,07 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Недоступний
IC: driver; місток H,півмісток MOSFET; SO8; 3А; Ch: 2; 8÷17ВDC
IC: driver; місток H,півмісток MOSFET; SO8; 3А; Ch: 2; 8÷17ВDC

108,34 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів MOSFET
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
3А
Властивості інтегральних мікросхем:
integrated bootstrap functionality; UVLO (UnderVoltage LockOut)
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT