Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 13А; Idm: 78А; 227Вт

Немає в наявності
Код товару: WMJ80R260S
397,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMJ80R260S
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 39нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 255мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 227Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 78А
Технологія: WMOS™ S
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD

77,29 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
I2C; LIN; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
25
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; 250В; 4А; ПВХ
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; 250В; 4А; ПВХ

987,08 грн

Довжина проводу:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
TPU; ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 9; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 9; THT; 3A; 100V

53,85 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; 1,4А; R: 403мОм; ±20%; VLS; 6x6x4,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; 1,4А; R: 403мОм; ±20%; VLS; 6x6x4,5мм

8,93 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
68мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
403мОм
Недоступний
Резистор: thin film; 102Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 102Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

73,49 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
IC: FPGA; Число макровічок: 27696; лоток; 1,2В
IC: FPGA; Число макровічок: 27696; лоток; 1,2В

5757,74 грн

Вид упаковки:
лоток
Напруга живлення:
1,2В
Тип інтегральної мікросхеми:
FPGA
Число макровічок:
27696
Недоступний
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А

1657,38 грн

Вид транзистора:
каскодний
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
TO247-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247

560,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс

394,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
185нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™

752,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
224нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс

377,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™

598,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™

1096,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
PLUS247™