Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -12В; -1,3А; 1,25Вт

Немає в наявності
Код товару: SI1965DH-T1-E3
10,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI1965DH-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4,2нКл
Корпус: SC70-6; SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 710мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: -1,3А
Струм стоку в імпульсі: -3А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 15; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 15; THR,THT; 3A

105,80 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
7,7мм
Обмежувач перенапруження; варистор; фронтальний; -25÷55°C
Обмежувач перенапруження; варистор; фронтальний; -25÷55°C

565,13 грн

Вид обмежувача перенапруження:
варистор
Застосування - серія/виробник:
TeSys D
Монтаж:
фронтальний
Робоча напруга:
110...250В AC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 3A; 250V

112,14 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
4,6мм
Недоступний
Tap: metric-set; M10; 1.5; Holder: hand; 3pcs; HSS COBALT
Tap: metric-set; M10; 1.5; Holder: hand; 3pcs; HSS COBALT

2551,32 грн

Type of tap:
metric - set
Вид рукоятки:
ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Відповідність стандарту:
DIN 352; ISO 2/6H
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; неекранований; вилка; 60В; 3А; TPU
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; неекранований; вилка; 60В; 3А; TPU

974,41 грн

Довжина проводу:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
TPU
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Діод: TVS; 200Вт; 16÷16,8В; 20А; односпрямована; ±2%; SMF,SOD123F
Діод: TVS; 200Вт; 16÷16,8В; 20А; односпрямована; ±2%; SMF,SOD123F

7,10 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2%
Зворотна напруга макс.:
14В
Корпус:
SMF; SOD123F
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 128А; Idm: 512А; 150Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 128А; Idm: 512А; 150Вт

307,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,3/1,5нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,2нКл
Корпус:
SO8