Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -12В; -1,3А; 1,25Вт

Name: Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -12В; -1,3А; 1,25Вт
Brand: VISHAY
SKU: SI1965DH-T1-GE3
Price: 10.45 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SI1965DH-T1-GE3

10,45 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SI1965DH-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

4,2нКл

Корпус:

SC70-6; SOT363

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±8В

Напруга сток-джерело:

-12В

Опір в стані провідності:

710мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,25Вт

Струм стока:

-1,3А

Струм стоку в імпульсі:

-3А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

P-MOSFET x2

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Блок живлення: імпульсний; AC/DC,відкритий; OUT: 1; PCB; 88%; 3А

0,00 грн

Вид блоку живлення:
AC/DC; відкритий

Вихідна напруга:
24В

Електричне під'єднування:
затискна рейка

Кількість виходів:
1

Бажані

Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; М12 "папа",М12 "мама"; вилка

1347,57 грн

Engineering PN:
M12 Cable Assembly A-cod st/st m/f 7,5m

Довжина проводу:
7,5м

Ізоляційний матеріал проводу:
поліуретан термопластичний TPE-U

Кількість пін:
4

Бажані

IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; THT; DIP8; PIC12

126,71 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит

Вид упаковки:
туба

Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog; XLP

Генератор вбудований:
32кГц; 32МГц

Недоступний

Бажані

Дисплей: TFT; 10,1"; 1280x800; Підсв: LED; Вим: 229,8x149x9мм

0,00 грн

Cенсорна панель:
немає

Вид дисплея:
графічний

Діагональ екрану:
10,1"

Інтерфейс:
LVDS

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 52; SMT; 3A; 250V

433,35 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Вид упаковки:
розсипний

Довжина контакту:
10,8мм

Недоступний

Бажані

Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A

693,11 грн

Вид роз’єму:
штекерний

Довжина проводу:
5м

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR

Клас герметичності:
IP68; IP69K

Недоступний

Бажані

Провід; Alpha Essential C&C; 8x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 600В

19953,78 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів

Будова жили:
тросик

Вид жили:
Cu; луджена

Відповідність стандарту:
MIL-DTL-16878 (TYPE B/N)

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Заряд затвора:
7,5/9,6нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
6,6/5,7нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
11нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
11нКл

Корпус:
DFN5x6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,44нКл

Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
43нКл