Реактор: дротяний; SMD; 0603; 3,9нГн; 2200мА; R: 0,028Ом; ±2%; LQW

Немає в наявності
Код товару: LQW18AN3N9G80D
3,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: LQW18AN3N9G80D
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±2%
Індуктивність: 3,9нГн
Корпус - дюйм: 0603
Корпус - мм: 1608
Монтаж: SMD
Опір: 28мОм
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 2,2А
Серія виробника: LQW
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 10ГГц
Недоступний
Рамка для модулів; розмір 16В; Han-Modular® HMC; з блокадою
Рамка для модулів; розмір 16В; Han-Modular® HMC; з блокадою

1502,79 грн

Застосування - серія/виробник:
Han-Modular® HMC
Корпус:
розмір 16В
Кріплення вкладки:
77,5x27мм
Маркування:
A..D
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0402

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 80А; 390Вт; TO220AB; 120нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 80А; 390Вт; TO220AB; 120нс

586,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
83нКл
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,51 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 5В; 0,5А; DPAK
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 5В; 0,5А; DPAK

20,91 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,5А
Недоступний
Резистор: thin film; 300Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 300Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

37,38 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 41,2кОм; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%
Резистор: thick film; 41,2кОм; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%

0,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реактор: феритовий; SMD; 1210; 100мкГн; 40мА; R: 11Ом; ±10%
Реактор: феритовий; SMD; 1210; 100мкГн; 40мА; R: 11Ом; ±10%

10,71 грн

Високосортність:
30
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,1мГн
Корпус - дюйм:
1210
Реактор: дротяний; THT; 100000мкГн; 0,02А; R: 235Ом; ±10%; Ø8,5x11мм
Реактор: дротяний; THT; 100000мкГн; 0,02А; R: 235Ом; ±10%; Ø8,5x11мм

47,52 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
8,5мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
100мГн
Реактор: дротяний; THT; 47мкГн; 1,4А; R: 160мОм; ±10%; Ø8,5x11мм
Реактор: дротяний; THT; 47мкГн; 1,4А; R: 160мОм; ±10%; Ø8,5x11мм

86,80 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
8,5мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
47мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 12мкГн; 0,97А; R: 0,21Ом
Реактор: дротяний; SMD; 12мкГн; 0,97А; R: 0,21Ом

8,05 грн

Властивості дроселів:
велика потужність
Застосування реакторів:
перетворювачі DC/DC
Індуктивність:
12мкГн
Корпус - мм:
0403
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; Iробочий: 10А; R: 13,2мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; Iробочий: 10А; R: 13,2мОм; ±20%

57,65 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
13,2мОм
Реактор: common mode; THT; 1,1мГн; 2А; R: 65мОм; -30÷50%; 3мм
Реактор: common mode; THT; 1,1мГн; 2А; R: 65мОм; -30÷50%; 3мм

74,13 грн

Довжина відводів:
3мм
Допуск:
-30...50%
Індуктивність:
1,1мГн
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 39мкГн; 1,37А; R: 0,14Ом
Реактор: дротяний; SMD; 39мкГн; 1,37А; R: 0,14Ом

14,06 грн

Властивості дроселів:
велика потужність
Застосування реакторів:
перетворювачі DC/DC
Індуктивність:
39мкГн
Корпус - мм:
1005