1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 80А; 390Вт; TO220AB; 120нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 80А; 390Вт; TO220AB; 120нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFP80N25X3
586,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFP80N25X3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 83нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 16мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 390Вт
Струм стока: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 120нс
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,51 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 5В; 0,5А; DPAK
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 5В; 0,5А; DPAK

20,91 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,5А
Недоступний
Резистор: thin film; 300Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 300Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

37,38 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 41,2кОм; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%
Резистор: thick film; 41,2кОм; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%

0,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 360Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 360Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

7,67 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 130кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 130кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В

0,58 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 100мм; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 100мм; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON

2916,88 грн

Властивості датчиків:
виявляють прозорі об'єкти; регулювання чутливості
Дальність:
0,1м
Довжина відводів:
0,3м
Зовнішні розміри:
11x20x32мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 15А; 225Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 15А; 225Вт; TO220-3

249,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

258,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 41А; Idm: 232А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 41А; Idm: 232А; 160Вт

952,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 32А; Idm: 128А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 32А; Idm: 128А; 44Вт

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 75В; 70А; Idm: 280А; 53Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 75В; 70А; Idm: 280А; 53Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 48А; Idm: 70А; 70Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 48А; Idm: 70А; 70Вт; TO3PF

606,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO3PF