Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 80А; 390Вт; TO220AB; 120нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFP80N25X3
586,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFP80N25X3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 83нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 16мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 390Вт
Струм стока: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 120нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,5пФ
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 187Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 187Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм

12,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Резистор: thin film; 10кОм; 0402; 125мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 10кОм; 0402; 125мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C

1,51 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
10кОм
Резистор: thick film; 41,2кОм; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%
Резистор: thick film; 41,2кОм; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%

0,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; OMNIMATE; 17,5А; 320В
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; OMNIMATE; 17,5А; 320В

0,00 грн

Кількість пін:
6
Колір корпусу:
чорний
Номінальна напруга:
0,32кВ
Номінальний струм:
17,5А
Патч-корд світлопроводний; OM2; LC/UPC,ST/UPC; 3м; 50/125мкм
Патч-корд світлопроводний; OM2; LC/UPC,ST/UPC; 3м; 50/125мкм

307,27 грн

Вид волокна:
MMF OM2
Вид матеріалу:
негалогенний
Довжина кабелю:
3м
Застосування проводів:
CATV; LAN; передача даних
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 8; штекерний; промислова; прямий; IP67; IDC
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 8; штекерний; промислова; прямий; IP67; IDC

5913,59 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
IDC
Зовнішній діаметр проводу:
6,5...8,5мм
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3