Реактор: дротяний; SMD; 0603; 56нГн; 770мА; R: 0,26Ом; ±2%; LQW; 180мм

Немає в наявності
Код товару: LQW18AN56NG80D
2,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: LQW18AN56NG80D
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±2%
Індуктивність: 56нГн
Корпус - дюйм: 0603
Корпус - мм: 1608
Монтаж: SMD
Опір: 0,26Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,77А
Серія виробника: LQW
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 2,6ГГц
Недоступний
Patch cord; F/UTP; Cat 6; 1,5м; тросик; Cu; LSZH; 26/7AWG
Patch cord; F/UTP; Cat 6; 1,5м; тросик; Cu; LSZH; 26/7AWG

492,27 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
F/UTP
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 32МГц; THT; DIP28; PIC24; туба
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 32МГц; THT; DIP28; PIC24; туба

212,87 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; HLVD; PoR; RTCC; watchdog; XLP
Інтерфейс:
ADC; I2C x2; IrDA; LIN; PWM; RS232; RS485; SPI x2; UART x2
Недоступний
Резистор: thick film; 280Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 280Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -12В; -2,1А; Idm: -13А; ESD
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -12В; -2,1А; Idm: -13А; ESD

0,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DFN1010D-3; SOT1215
Фільтр: проти перешкод; 250ВAC; Cx: 100нФ; Cy: 3,3нФ; 1,8мГн
Фільтр: проти перешкод; 250ВAC; Cx: 100нФ; Cy: 3,3нФ; 1,8мГн

251,52 грн

Виводи:
до лютування
Діаметр монтажного отвору:
3,7мм
Ємність Cx:
0,1мкФ
Ємність Cy:
3,3нФ
Недоступний
IC: компаратор; Cmp: 1; 1,6÷6,5В; SMT; SC70-5; OUT: open drain; 5пА
IC: компаратор; Cmp: 1; 1,6÷6,5В; SMT; SC70-5; OUT: open drain; 5пА

15,21 грн

Вид виходу:
open drain
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідний поляризаційний струм:
5пА
Кількість компараторів:
1
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 220мкФ; 35ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 220мкФ; 35ВDC; ±20%

29,14 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид упаковки:
Ammo Pack
Висота:
16мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність; компактні розміри корпусу
Реактор: дротяний; THT; 10мкГн; 500мА; R: 1,5Ом; ±10%; Ø6,8x19,05мм
Реактор: дротяний; THT; 10мкГн; 500мА; R: 1,5Ом; ±10%; Ø6,8x19,05мм

209,07 грн

Виводи:
осьові
Висота:
19,05мм
Діаметр:
6,8мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 1мГн; R: 12мОм; SC; 15А; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 1мГн; R: 12мОм; SC; 15А; 250ВAC; -25÷120°C

330,72 грн

Індуктивність:
1мГн
Максимальний струм:
15А
Монтаж:
THT
Опір:
12мОм
Реактор: дротяний; THT; 270мкГн; Iробочий: 1,5А; R: 500мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 270мкГн; Iробочий: 1,5А; R: 500мОм; ±10%

24,39 грн

Виводи:
2pin
Висота:
13,5мм
Діаметр:
9,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; 4,4А; R: 41,6мОм; ±20%; ETQP4M
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; 4,4А; R: 41,6мОм; ±20%; ETQP4M

39,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; THT; 470мкГн; 450мА; R: 1,05Ом; ±10%; 1300
Реактор: дротяний; THT; 470мкГн; 450мА; R: 1,05Ом; ±10%; 1300

51,32 грн

Висота:
13,5мм
Діаметр:
9,5мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,47мГн
Реактор: дротяний; SMD; 2,5мкГн; 2,5А; R: 35мОм; ±20%; 6,5x6,5x4,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,5мкГн; 2,5А; R: 35мОм; ±20%; 6,5x6,5x4,8мм

30,41 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,5мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
35мОм
Реактор: дротяний з компенсацією; THT; 5,5мГн; R: 28мОм; SCF; 5А
Реактор: дротяний з компенсацією; THT; 5,5мГн; R: 28мОм; SCF; 5А

309,17 грн

Індуктивність:
5,5мГн
Максимальний струм:
5А
Монтаж:
THT
Опір:
28мОм