Реактор: дротяний; SMD; 0603; 68нГн; 600мА; R: 0,34Ом; ±2%; LQW; 180мм

Немає в наявності
Код товару: LQW18AS68NG0CD
6,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: LQW18AS68NG0CD
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±2%
Індуктивність: 68нГн
Корпус - дюйм: 0603
Корпус - мм: 1608
Монтаж: SMD
Опір: 0,34Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,6А
Серія виробника: LQW
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 1,7ГГц
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 16Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 16Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм

6,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,85 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 6,8мкГн; 510мА; R: 0,288Ом; ±30%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 6,8мкГн; 510мА; R: 0,288Ом; ±30%; LQH

5,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
6,8мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Connector: wire-board; socket; female; data; PIN: 14; 2.54mm; tinned
Connector: wire-board; socket; female; data; PIN: 14; 2.54mm; tinned

35,48 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
14
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 8кБSRAM,64кБFLASH; LQFP64; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 8кБSRAM,64кБFLASH; LQFP64; 1,71÷3,6ВDC

176,13 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; TSI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
54
Корпус:
LQFP64
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15мкФ; 16В; X6S; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15мкФ; 16В; X6S; ±20%; SMD; 0805

7,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 42А; Idm: 178А; 136Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 42А; Idm: 178А; 136Вт; D2PAK

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
D2PAK
Реактор: осьовий; THT; 22мкГн; 1А; R: 190мОм; ±10%; Ø4,06x12,7мм
Реактор: осьовий; THT; 22мкГн; 1А; R: 190мОм; ±10%; Ø4,06x12,7мм

171,69 грн

Виводи:
осьові
Висота:
12,7мм
Діаметр:
4,06мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 120мкГн; Iробочий: 2А; R: 250мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 120мкГн; Iробочий: 2А; R: 250мОм; ±10%

20,91 грн

Виводи:
2pin
Висота:
13,5мм
Діаметр:
9,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; 2,9А; R: 65,7мОм; ±20%; ETQP3M
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; 2,9А; R: 65,7мОм; ±20%; ETQP3M

32,31 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; пригвинчуваний; 6Гн; 200мА; R: 150Ом; ±15%; 127мм
Реактор: дротяний; пригвинчуваний; 6Гн; 200мА; R: 150Ом; ±15%; 127мм

1340,60 грн

Виводи:
проводи x2
Довжина відводів:
127мм
Допуск:
±15%
Індуктивність:
6Гн
Реактор: феритовий; SMD; 1812; 22мкГн; 180мА; R: 3,2Ом; ±10%
Реактор: феритовий; SMD; 1812; 22мкГн; 180мА; R: 3,2Ом; ±10%

12,67 грн

Високосортність:
50
Допуск:
±10%
Індуктивність:
22мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3нГн; 750мА; R: 0,07Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3нГн; 750мА; R: 0,07Ом; LQW; 180мм

5,70 грн

Високосортність:
20
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1нГн
Індуктивність:
3нГн
Реактор: дротяний; THT; 220мкГн; 0,64А; R: 650мОм; ±10%; Ø8,5x11мм
Реактор: дротяний; THT; 220мкГн; 0,64А; R: 650мОм; ±10%; Ø8,5x11мм

40,55 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
8,5мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,22мГн