Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 42А; Idm: 178А; 136Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: NTB6413ANT4G
63,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: NTB6413ANT4G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 51нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 28мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 136Вт
Струм стока: 42А
Струм стоку в імпульсі: 178А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 121кОм; 0201; 50мВт; ±1%; RC; -55÷125°C
Резистор: thick film; 121кОм; 0201; 50мВт; ±1%; RC; -55÷125°C

0,04 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
0,6x0,3мм
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; вилка; 19А; 30ВAC; 60ВDC; 2,5мм2
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; вилка; 19А; 30ВAC; 60ВDC; 2,5мм2

137,48 грн

Колір:
фіолетовий
Модель роз’єму:
з осьовим гніздом 4мм; неізольований
Монтаж:
гвинтовий; на дріт
Номінальна напруга:
30В AC; 60В DC
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 20А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 20А; Полюси: 1

749,49 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
15кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Діаметр з'єднуючих шин:
0,8...2мм
Кількість полюсів:
1
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 12; М12 "папа",М12 "мама"; вилка
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 12; М12 "папа",М12 "мама"; вилка

2714,14 грн

Engineering PN:
M12 Cable Assembly A-cod st/st f/m 7,5m
Довжина проводу:
7,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
12
Недоступний
Перемикач: DIP-SWITCH; OFF-ON; Поз: 3; THT; -30÷85°C; 50мОм; ADE
Перемикач: DIP-SWITCH; OFF-ON; Поз: 3; THT; -30÷85°C; 50мОм; ADE

0,00 грн

Виводи:
для друку
Загальна довжина:
9,6мм
Кількість всіх позицій:
3
Конфігурація контактів:
SPST
Недоступний
Резистор: thin film; 300Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 300Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В

1,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
22нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11,8нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; PDFN56U
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; PDFN56U

125,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PDFN56U
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 16А; 1,1Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 16А; 1,1Вт; SOT23-3

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,7нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323

2,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SOT323