Реактор: дротяний; SMD; 0805; 1,5мкГн; Iробочий: 1,6А; ±20%; W: 1,2мм

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DFE201210U-1R5MP2
6,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 577
Код товару: DFE201210U-1R5MP2
Виробник: MURATA
Висота: 0,991мм
Відповідність стандарту: AEC-Q200
Допуск: ±20%
Індуктивність: 1,5мкГн
Корпус - дюйм: 0805
Корпус - мм: 2012
Максимальний струм: 1,6А
Монтаж: SMD
Опір макс.: 138мОм
Робоча температура: -40...125°C
Робочий струм: 1,6А
Струм насичення: 2,5А
Струм робочий макс.: 1,6А
Тестова частота: 1МГц
Тип реактора: дротяний
Ширина: 1,2мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; 1210
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; 1210

2,43 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 64; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 64; THT; 3A; 250V

458,06 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,1мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 470мкФ; 16ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 470мкФ; 16ВDC; ±20%

30,41 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
12,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
10мм
Недоступний
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷600В; Клас: 1,5; True RMS; 40÷72Гц
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷600В; Клас: 1,5; True RMS; 40÷72Гц

1837,94 грн

Вимір:
напруги AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Властивості вимірювальних приладів:
без поділки; з затвердженням контролю якості
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Недоступний
Резистор: thick film; 511Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 511Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 4А; Idm: 12А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 4А; Idm: 12А; 2Вт; SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Недоступний
Діод: варикап; 10В; ESC; одиночний діод; ролик,cтрічка
Діод: варикап; 10В; ESC; одиночний діод; ролик,cтрічка

0,00 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
RF
Ємність:
4,45...11,1пФ
Зворотна напруга макс.:
10В
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 10мкГн; Iробочий: 1,1А; ±20%; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 10мкГн; Iробочий: 1,1А; ±20%; ферит

25,53 грн

Висота:
1,5мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Корпус - дюйм:
1212
Реактор: дротяний
Реактор: дротяний

8,11 грн

Тип реактора:
дротяний
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 2,2А; R: 43мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 2,2А; R: 43мОм; ±20%

4,94 грн

Висота:
2мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; Iробочий: 10А; ±20%; 11,5x10,3x4мм
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; Iробочий: 10А; ±20%; 11,5x10,3x4мм

71,59 грн

Висота:
4мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
3,3мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Реактор: дротяний; THT; 109мГн; 400мА; R: 1,8Ом; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 109мГн; 400мА; R: 1,8Ом; 250ВAC; -25÷120°C

127,34 грн

Індуктивність:
109мГн
Монтаж:
THT
Опір:
1,8Ом
Робоча напруга:
250В AC
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 0,47мкГн; 545мА; R: 0,3Ом
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 0,47мкГн; 545мА; R: 0,3Ом

18,12 грн

Високосортність:
40
Властивості дроселів:
висока вологостійкість
Індуктивність:
0,47мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; ±20%; 10,3x10,4x4мм; 1,5А; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; ±20%; 10,3x10,4x4мм; 1,5А; ферит

26,55 грн

Висота:
3,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
68мкГн
Матеріал стержня:
ферит