1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 4А; Idm: 12А; 2Вт; SO8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 4А; Idm: 12А; 2Вт; SO8
Немає в наявності
Код товару: NTMD4N03R2G
61,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTMD4N03R2G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 60мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 4А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Діод: варикап; 10В; ESC; одиночний діод; ролик,cтрічка
Діод: варикап; 10В; ESC; одиночний діод; ролик,cтрічка

0,00 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
RF
Ємність:
4,45...11,1пФ
Зворотна напруга макс.:
10В
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.7mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.7mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1,7мм
Недоступний
Діод: випрямний; 1,6кВ; 400А; катод на болті; DO205AB,DO9; 1,62В
Діод: випрямний; 1,6кВ; 400А; катод на болті; DO205AB,DO9; 1,62В

4681,33 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
DO9; DO205AB
Монтаж:
гвинтовий
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 16мм; 1/2"
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 16мм; 1/2"

347,19 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Властивості ключів:
колірний код полегшує пізнання ключів
Довжина насадки:
38мм
Розмір гнізда:
HEX 16мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 1.5A; 60V

48,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 3МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 3МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Симістор; 600В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба
Симістор; 600В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба

98,20 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6