Діод: TVS; 0,5кВт; 21,66В; 14,25А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷175°C

Немає в наявності
Код товару: JANTX1N6115US
766,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 100
Код товару: JANTX1N6115US
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Зворотна напруга макс.: 18,2В
Кількість каналів: 1
Монтаж: SMD
Напруга пробою: 21,66В
Потужність, що розсіюється в макс. імпульсі: 0,5кВт
Робоча температура: -55...175°C
Структура напівпровідника: двоспрямована
Струм в імпульсі макс.: 14,25А
Тип діода: TVS
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 32А; Idm: 128А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 32А; Idm: 128А

776,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
300нКл
Корпус:
D3PAK
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 13,3В; 31А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 13,3В; 31А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

5,39 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
12В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 64МГц; A/E/USART,MSSP (SPI / I2C)
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 64МГц; A/E/USART,MSSP (SPI / I2C)

127,34 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; Phase locked loop; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 16МГц
Недоступний
Резистор: thin film; 150Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 150Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 6,45В; 57,1А; односпрямована; DO214AA,SMB; PAR®
Діод: TVS; 600Вт; 6,45В; 57,1А; односпрямована; DO214AA,SMB; PAR®

8,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
5,8В
Корпус:
DO214AA; SMB
Діод: TVS; 3кВт; 67,8В; 32,1А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMDJ
Діод: TVS; 3кВт; 67,8В; 32,1А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMDJ

69,69 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
58В
Діод: TVS; 1,5кВт; 20÷22,2В; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 20÷22,2В; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC

32,94 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
18В
Корпус:
DO214AB; SMC
Діод: TVS; 600Вт; 66,7÷74В; 6,2А; двоспрямована; ±5%; SMB; P6SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 66,7÷74В; 6,2А; двоспрямована; ±5%; SMB; P6SMBJ

13,94 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
60В
Корпус:
SMB
Діод: TVS; 400Вт; 16,7В; 16,4А; двоспрямована; SMA; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 400Вт; 16,7В; 16,4А; двоспрямована; SMA; ролик,cтрічка

25,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
15В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Діод: TVS; 600Вт; 7,22÷7,98В; 53,6А; двоспрямована; ±5%; TransZorb®
Діод: TVS; 600Вт; 7,22÷7,98В; 53,6А; двоспрямована; ±5%; TransZorb®

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
6,5В
Діод: TVS; 13В; 4А; двоспрямована; DFN2
Діод: TVS; 13В; 4А; двоспрямована; DFN2

7,98 грн

Ємність:
13пФ
Зворотна напруга макс.:
12В
Корпус:
DFN2
Монтаж:
SMD
Діод: TVS; 600Вт; 27,1÷29,1В; 15,6А; двоспрямована; ±3,5%; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 27,1÷29,1В; 15,6А; двоспрямована; ±3,5%; SMBJ

18,37 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±3,5%
Зворотна напруга макс.:
24В