1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 32А; Idm: 128А

Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 32А; Idm: 128А
Немає в наявності
Код товару: APT5015SVFRG
772,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT5015SVFRG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 300нКл
Корпус: D3PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 370Вт
Струм стока: 32А
Струм стоку в імпульсі: 128А
Технологія: POWER MOS 5®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 24мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±5%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 24мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±5%; CS; -55÷155°C

2,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 20ВDC; SMD; Y; 2917; ±10%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 20ВDC; SMD; Y; 2917; ±10%; -55÷125°C

45,62 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Ємність:
22мкФ
Корпус:
Y
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; NQ; 200В

0,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 221кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 221кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

126,71 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 12,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 12,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 16,9кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 16,9кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

11,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Геркон; Pперемик: 10Вт; 32x15x6,8мм; Підключення: проводи; 0,5А
Геркон; Pперемик: 10Вт; 32x15x6,8мм; Підключення: проводи; 0,5А

717,82 грн

Властивості датчиків:
привід замовляється окремо
Довжина відводів:
0,35м
Зовнішні розміри:
32x15x6,8мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8