40В; 5А; DFN; Канал: збагачений; 2Вт

Name: 40В; 5А; DFN; Канал: збагачений; 2Вт
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: UT6KB5TCR
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: UT6KB5TCR

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 211

Код товару:

UT6KB5TCR

Виробник:

ROHM SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

3,5нКл

Корпус:

DFN

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

40В

Опір в стані провідності:

48мОм

Потужність розсіювання:

2Вт

Струм стока:

5А

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Заряд затвора:
7,5/9,6нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
6,6/5,7нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
11нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
11нКл

Корпус:
DFN5x6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,44нКл

Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
43нКл