Діод: TVS збірка; 13,3В; 0,3кВт; двоспрямована; SOIC8; Ch: 4

Немає в наявності
Код товару: SMDA12C-4/TR13
112,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SMDA12C-4/TR13
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Ємність: 185пФ
Зворотна напруга макс.: 12В
Кількість каналів: 4
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Напруга пробою: 13,3В
Потужність, що розсіюється в макс. імпульсі: 0,3кВт
Стандартне пакування виробника: 2500шт.
Структура напівпровідника: двоспрямована
Тип діода: TVS збірка
Connector: wire-board; socket; female; data; Inom: 6.5A; 250V; PIN: 4
Connector: wire-board; socket; female; data; Inom: 6.5A; 250V; PIN: 4

167,89 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
4
Недоступний
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 100В; Ufmax: 1,1В; If: 25А; THT
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 100В; Ufmax: 1,1В; If: 25А; THT

129,24 грн

Виводи:
конектори FASTON
Вид упаковки:
коробка
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Транзистор: N-JFET; GaN; польовий; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А
Транзистор: N-JFET; GaN; польовий; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А

0,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
HEMT
Вид упаковки:
cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Недоступний
Резистор: thin film; 1,87кОм; 0805; 250мВт; ±0,1%; RN73H; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1,87кОм; 0805; 250мВт; ±0,1%; RN73H; -55÷155°C

5,58 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Номінальна напруга:
0,15кВ
Резистор: thin film; 2,37кОм; SMD; 0402; 100мВт; 1x0,5x0,3мм
Резистор: thin film; 2,37кОм; SMD; 0402; 100мВт; 1x0,5x0,3мм

5,70 грн

Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Опір:
2,37кОм
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 90Ом; 1,6Вт; 10мс
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 90Ом; 1,6Вт; 10мс

98,83 грн

Виводи:
конектори
Кількість пін:
4
Конструкція:
захисний діод; одна обмотка
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Діод: TVS збірка; 6В; 12А; 300Вт; односпрямована; ESD; SOT23-6; Ch: 4
Діод: TVS збірка; 6В; 12А; 300Вт; односпрямована; ESD; SOT23-6; Ch: 4

20,27 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
5пФ
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
4
Діод: TVS збірка; ESD; Ch: 5
Діод: TVS збірка; ESD; Ch: 5

9,25 грн

Ємність:
29пФ
Зворотна напруга макс.:
3В
Кількість каналів:
5
Модель:
ESD
1,4А; 0,04кВт; односпрямована,спільний анод; SOT23-3; Ch: 2
1,4А; 0,04кВт; односпрямована,спільний анод; SOT23-3; Ch: 2

5,77 грн

Використання:
автомобільна галузь
Ємність:
55пФ
Зворотна напруга макс.:
17В
Кількість каналів:
2
Діод: TVS збірка; 0,04кВт; односпрямована,спільний анод; SOT23-3
Діод: TVS збірка; 0,04кВт; односпрямована,спільний анод; SOT23-3

5,77 грн

Використання:
автомобільна галузь
Ємність:
42пФ
Зворотна напруга макс.:
22В
Кількість каналів:
2
3А; 0,024кВт; односпрямована,спільний анод; SOT23-3; Ch: 2
3А; 0,024кВт; односпрямована,спільний анод; SOT23-3; Ch: 2

4,94 грн

Ємність:
0,23нФ
Зворотна напруга макс.:
3В
Кількість каналів:
2
Корпус:
SOT23-3
Діод: TVS збірка; 6В; 1А; 150Вт; двоспрямована; ESD; SLP2510P8; Ch: 4
Діод: TVS збірка; 6В; 1А; 150Вт; двоспрямована; ESD; SLP2510P8; Ch: 4

20,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
Ethernet; USB
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
4
Діод: TVS збірка; 6,1В; 300Вт; спільний анод; ESD; SOT23-6; Ch: 4
Діод: TVS збірка; 6,1В; 300Вт; спільний анод; ESD; SOT23-6; Ch: 4

20,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
5,25В
Кількість каналів:
4
Корпус:
SOT23-6