Діод: випрямний; SMD; 200В; 2А; 25нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 1,1В

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BYG22D-E3/TR
15,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BYG22D-E3/TR
Виробник: VISHAY
Вид упаковки: ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів: glass passivated; швидке перемикання; явище лавинного пробою
Зворотна напруга макс.: 200В
Кількість в наборі/упаковці: 1800шт.
Корпус: DO214AC; SMA
Монтаж: SMD
Пряма напруга макс.: 1,1В
Стандартне пакування виробника: 1800шт.
Структура напівпровідника: одиночний діод
Струм витоку: 10мкА
Струм в імпульсі макс.: 35А
Струм провідності: 2А
Тип діода: випрямний
Час готовності: 25нс
Connector: wire-board; socket; female; data; PIN: 14; 2.54mm; tinned
Connector: wire-board; socket; female; data; PIN: 14; 2.54mm; tinned

35,48 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
14
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 8кБSRAM,64кБFLASH; LQFP64; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 8кБSRAM,64кБFLASH; LQFP64; 1,71÷3,6ВDC

176,13 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; TSI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
54
Корпус:
LQFP64
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15мкФ; 16В; X6S; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15мкФ; 16В; X6S; ±20%; SMD; 0805

7,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 42А; Idm: 178А; 136Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 42А; Idm: 178А; 136Вт; D2PAK

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
D2PAK
Резистор: thick film; 121кОм; 0201; 50мВт; ±1%; RC; -55÷125°C
Резистор: thick film; 121кОм; 0201; 50мВт; ±1%; RC; -55÷125°C

0,04 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
0,6x0,3мм
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; вилка; 19А; 30ВAC; 60ВDC; 2,5мм2
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; вилка; 19А; 30ВAC; 60ВDC; 2,5мм2

137,48 грн

Колір:
фіолетовий
Модель роз’єму:
з осьовим гніздом 4мм; неізольований
Монтаж:
гвинтовий; на дріт
Номінальна напруга:
30В AC; 60В DC
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 20А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 20А; Полюси: 1

749,49 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
15кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Діаметр з'єднуючих шин:
0,8...2мм
Кількість полюсів:
1
Діод: перемикальний; SMD; 75В; 150мА; 4нс; SOT23; Ufmax: 0,855В
Діод: перемикальний; SMD; 75В; 150мА; 4нс; SOT23; Ufmax: 0,855В

7,46 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
2пФ
Зворотна напруга макс.:
75В
Корпус:
SOT23
Діод: випрямний; SMD; 400В; 1А; 3мкс; SOD123F; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 30А
Діод: випрямний; SMD; 400В; 1А; 3мкс; SOD123F; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 30А

8,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Ємність:
10пФ
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 125мА; 4нс; SOT23; Ufmax: 1,25В
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 125мА; 4нс; SOT23; Ufmax: 1,25В

2,48 грн

Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
1,25В
Діод: випрямний; SMD; 400В; 1,5А; 30нс; Ufmax: 1,2В; Ifsm: 50А
Діод: випрямний; SMD; 400В; 1,5А; 30нс; Ufmax: 1,2В; Ifsm: 50А

14,83 грн

Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
1,2В
Структура напівпровідника:
одиночний діод
Діод: перемикальний; SMD; 250В; 200мА; 50нс; SOT23; Ufmax: 1,25В
Діод: перемикальний; SMD; 250В; 200мА; 50нс; SOT23; Ufmax: 1,25В

3,00 грн

Зворотна напруга макс.:
250В
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
1,25В
Діод: випрямний; SMD; 400В; 500мА; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 8А; Ir: 10мкА
Діод: випрямний; SMD; 400В; 500мА; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 8А; Ir: 10мкА

8,93 грн

Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
1,1В
Струм витоку:
10мкА
Діод: випрямний; SMD; 600В; 10А; 50нс; Ufmax: 1,55В; Ifsm: 100А
Діод: випрямний; SMD; 600В; 10А; 50нс; Ufmax: 1,55В; Ifsm: 100А

41,37 грн

Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
1,55В
Структура напівпровідника:
одиночний діод