IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90

Немає в наявності
Код товару: IS42S32160F-6BL
763,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 240
Крок додавання: 240
Код товару: IS42S32160F-6BL
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA90
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 3...3,6В DC
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 4Mx32bitx4
Тактова частота: 167МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 6нс
Перемикач: кнопковий; IP67,IP69K; втискуваний
Перемикач: кнопковий; IP67,IP69K; втискуваний

1837,31 грн

Клас герметичності:
IP67; IP69K
Монтаж:
втискуваний
Тип перемикача:
кнопковий
Недоступний
IC: PMIC; Uвх: 4,5÷5,5В; Uвих: 0,7÷1,8В; buck
IC: PMIC; Uвх: 4,5÷5,5В; Uвих: 0,7÷1,8В; buck

405,47 грн

Вихідна напруга:
0,7...1,8В
Вихідний струм:
2А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,3пФ
Недоступний
Провід; Xtra Guard® Flex; 12x16AWG; неекранований; 300В; 305м; Cu
Провід; Xtra Guard® Flex; 12x16AWG; неекранований; 300В; 305м; Cu

330560,47 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(uL) AWM I/II A/B FT4; UL 2661; UL 10002; UL CM; UL CMG; UL PLTC; UL SUN RES
Резистор: thin film; 470кОм; 300мВт; 2,2x2,2мм; -55÷155°C
Резистор: thin film; 470кОм; 300мВт; 2,2x2,2мм; -55÷155°C

3,41 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Модель:
ESD
Опір:
470кОм
Потужність:
0,3Вт
Недоступний
Діод: перемикальний; THT; 50В; 300мА; Ifsm: 2,5А; DO35; Ufmax: 1,2В
Діод: перемикальний; THT; 50В; 300мА; Ifsm: 2,5А; DO35; Ufmax: 1,2В

274,96 грн

Зворотна напруга макс.:
50В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
1,2В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 1206; 180мм

4,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD