IC: мікросхема RTC; parallel; NV SRAM; 64кбSRAM; PCDIP28; 70нс

Немає в наявності
Код товару: M48T58-70PC1
2123,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: M48T58-70PC1
Виробник: STMicroelectronics
Вид пам’яті: NV SRAM
Інтерфейс: parallel
Корпус: PCDIP28
Монтаж: THT
Пам'ять: 64кб SRAM
Робоча напруга: 4,75...5,5В
Структура пам'яті: 8Кx8бит
Струм живлення DC: 50мА
Струм підтримки часу: 3мА
Тип інтегральної мікросхеми: мікросхема RTC
Торгова назва: TIMEKEEPER®
Формат годинника: HH:MM:SS (24h)
Формат дати: YY-MM-DD-dd
Час доступу: 70нс
Недоступний
Діод: TVS; 15кВт; 100В; 102А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD
Діод: TVS; 15кВт; 100В; 102А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD

1400,79 грн

Зворотна напруга макс.:
90В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
100В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

4,56 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,6пФ
Недоступний
Двигун: серводвигун; 400Вт; 3000обр./хв; 1,27Нм
Двигун: серводвигун; 400Вт; 3000обр./хв; 1,27Нм

21883,58 грн

Обертаючий момент:
1,27Нм
Потужність:
0,4кВт
Тип двигуна:
серводвигун
Частота обертання:
3000обр./хв.
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 270кОм; THT; 500мВт; ±5%; 350В; Ш0,54x28мм
Резистор: вуглецевий; 270кОм; THT; 500мВт; ±5%; 350В; Ш0,54x28мм

1,12 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3мм
Довжина:
9мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 270А; 1,249кВт
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 270А; 1,249кВт

928,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
20В
Напруга сток-джерело:
650В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201

1,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,4пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; MSSP (SPI / I2C); 1,8÷3,6ВDC; THT
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; MSSP (SPI / I2C); 1,8÷3,6ВDC; THT

55,12 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x2; CWG; NCO
Генератор вбудований:
32кГц; 16МГц
IC: мікросхема RTC; parallel; NV SRAM; 16кбSRAM; PCDIP24; 4,5÷5,5В
IC: мікросхема RTC; parallel; NV SRAM; 16кбSRAM; PCDIP24; 4,5÷5,5В

1983,02 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Інтерфейс:
parallel
Корпус:
PCDIP24
Монтаж:
THT
IC: мікросхема RTC; 3-wire; NV SRAM; 31БSRAM; SO8; 2÷5,5В
IC: мікросхема RTC; 3-wire; NV SRAM; 31БSRAM; SO8; 2÷5,5В

266,73 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вихідна напруга:
0,4...2,4В
Інтерфейс:
3-wire
Корпус:
SO8
IC: мікросхема RTC; I2C; SO8; 2,97÷5,5В
IC: мікросхема RTC; I2C; SO8; 2,97÷5,5В

353,52 грн

Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
2,97...5,5В
IC: мікросхема RTC; I2C; SRAM; 64БSRAM; 1,8÷5,5ВDC; DIP8; -40÷85°C
IC: мікросхема RTC; I2C; SRAM; 64БSRAM; 1,8÷5,5ВDC; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
-0,6...6,5В
Інтерфейс:
I2C
IC: мікросхема RTC; I2C; SRAM; SO8; 2,7÷5,5В
IC: мікросхема RTC; I2C; SRAM; SO8; 2,7÷5,5В

204,64 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: мікросхема RTC; parallel; NV SRAM; 16кбSRAM; PCDIP24; 150нс
IC: мікросхема RTC; parallel; NV SRAM; 16кбSRAM; PCDIP24; 150нс

1315,26 грн

Батарея/акумулятор:
батарея Li(CF) BR1225 2,8В x1
Вид пам’яті:
NV SRAM
Інтерфейс:
parallel
Корпус:
PCDIP24
IC: мікросхема RTC; I2C; SRAM; 64БSRAM; 1,8÷5,5ВDC; SO8; -40÷85°C
IC: мікросхема RTC; I2C; SRAM; 64БSRAM; 1,8÷5,5ВDC; SO8; -40÷85°C

57,65 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
-0,6...7,5В
Властивості інтегральних мікросхем:
EEPROM