Транзистор: N-MOSFET; 650В; 270А; 1,249кВт

Немає в наявності
Код товару: IPDQ65R008CM8XTMA1
928,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 750
Крок додавання: 750
Код товару: IPDQ65R008CM8XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 8мОм
Потужність розсіювання: 1,249кВт
Струм стока: 270А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201

1,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,4пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; MSSP (SPI / I2C); 1,8÷3,6ВDC; THT
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; MSSP (SPI / I2C); 1,8÷3,6ВDC; THT

55,12 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x2; CWG; NCO
Генератор вбудований:
32кГц; 16МГц
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,4пФ
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 10мм; 10÷40ВDC; M30; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 10мм; 10÷40ВDC; M30; 2м; IP67

2862,40 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
10мм
Довжина відводів:
2м
Клас герметичності:
IP67
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -120А; 157Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -120А; 157Вт; D2PAK,TO263

101,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,1пФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 22; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 22; THT; 1.5A; 60V

270,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
4,8мм
Довжина відводів:
6,6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт

200,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,2А; Idm: 4,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,2А; Idm: 4,8А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
0,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD