IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 2; 3,5÷16ВDC; SO8; IB: 10пА

Немає в наявності
Код товару: MCP6H02T-E/SNVAO
48,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3300
Крок додавання: 3300
Код товару: MCP6H02T-E/SNVAO
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Властивості інтегральних мікросхем: rail-to-rail; rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля: -3,5...3,5мВ
Вхідний поляризаційний струм: 10пА
Вхідний струм зміщення нуля: 1пА
Діапазон напруги живлення: 3,5...16В DC
Кількість каналів: 2
Корпус: SO8
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 1,2МГц
Стандартне пакування виробника: 3300шт.
Струм без навантаження: 185мкА
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 0,8В/мкс
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 6,67÷7,37В; 145,6А; односпрямована; DO214AB,SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 6,67÷7,37В; 145,6А; односпрямована; DO214AB,SMC

7,22 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
6В
Корпус:
DO214AB; SMC
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 1206

17,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 32А; Idm: 128А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 32А; Idm: 128А

782,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
300нКл
Корпус:
TO247-3
IC: вимірювальний підсилювач; 14кГц; Ch: 1; 2,7÷26ВDC; SC70-6
IC: вимірювальний підсилювач; 14кГц; Ch: 1; 2,7÷26ВDC; SC70-6

69,69 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; двонаправлений; джерело живлення
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
35мкВ
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 2; 2,4÷5,5ВDC; TDFN8; 25мкВ
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 2; 2,4÷5,5ВDC; TDFN8; 25мкВ

55,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
25мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
50пА
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC

60,19 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Діапазон напруги живлення:
± 1,5...16В DC; 3...32В DC
Кількість каналів:
4
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC

15,21 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
-0,2мкА
Вхідний струм зміщення нуля:
75нА
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 1; 10÷36В; SO8; ролик,cтрічка
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 1; 10÷36В; SO8; ролик,cтрічка

26,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO8

9,50 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вхідна напруга зміщення нуля:
10мВ
Вхідний поляризаційний струм:
50нА
Вхідний струм зміщення нуля:
45...200нА
IC: Oпераційний підсилювач; 350кГц; Ch: 2; 4÷28ВDC; SO16; 60мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 350кГц; Ch: 2; 4÷28ВDC; SO16; 60мВ

131,15 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
універсальний
Вхідна напруга зміщення нуля:
60мВ
Вхідний поляризаційний струм:
2,5мкА