Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 32А; Idm: 128А

Name: Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 32А; Idm: 128А
Brand: MICROCHIP TECHNOLOGY
SKU: APT5015BVRG
Price: 782.44 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: APT5015BVRG

782,44 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

APT5015BVRG

Виробник:

MICROCHIP TECHNOLOGY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

300нКл

Корпус:

TO247-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

500В

Опір в стані провідності:

0,15Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

370Вт

Струм стока:

32А

Струм стоку в імпульсі:

128А

Технологія:

POWER MOS 5®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220-3

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт

85,53 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220-3

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 330Вт; TO220AB

181,20 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
170нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
79нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; 27Вт; TO220F

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
TO220F

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270А; 380Вт; TO220AB

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
91нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; 150Вт; TO220-3

273,70 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220-3

Монтаж:
THT