IC: Oпераційний підсилювач; 1,8МГц; Ch: 2; 1,8÷6ВDC; SO8; 6мВ

Немає в наявності
Код товару: TS1872IDT
32,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TS1872IDT
Виробник: STMicroelectronics
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем: low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля: 6мВ
Вхідний поляризаційний струм: 0,15мкА
Вхідний струм зміщення нуля: 60нА
Діапазон напруги живлення: 1,8...6В DC
Кількість каналів: 2
Корпус: SO8
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 1,8МГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 0,6В/мкс
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1050В; 0,95А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1050В; 0,95А; 60Вт; DPAK; ESD

121,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Недоступний
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 3,3кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±2%; 200В
Резистор: вуглецевий; 3,3кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±2%; 200В

3,99 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
1,4мм
Довжина:
3,8мм
Допуск:
±2%
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 60МГц; Ch: 4; 2,5÷5,5ВDC; VDFN8; 126дБ
IC: Oпераційний підсилювач; 60МГц; Ch: 4; 2,5÷5,5ВDC; VDFN8; 126дБ

105,17 грн

Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
8мВ
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 680мкФ; 63ВDC; 2000г
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 680мкФ; 63ВDC; 2000г

256,59 грн

Виводи:
осьові
Вид конденсатора:
low ESR
Ємність:
680мкФ
Імпеданс:
0,14Ом
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 50В; X7R; ±10%; 1206
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 50В; X7R; ±10%; 1206

7,60 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 127кОм; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 127кОм; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

55,75 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 2,7÷5,5ВDC; SO8; 9мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 2,7÷5,5ВDC; SO8; 9мВ

47,52 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
9мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 900кГц; Ch: 4; SSOP-B14; 1мВ; IB: 1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 900кГц; Ch: 4; SSOP-B14; 1мВ; IB: 1пА

28,51 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
low voltage; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Вхідний струм зміщення нуля:
1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 4,4МГц; Ch: 1; SSOP5; 0,005мВ; IB: 0,5пА
IC: Oпераційний підсилювач; 4,4МГц; Ch: 1; SSOP5; 0,005мВ; IB: 0,5пА

207,81 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output; низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5пА
Вхідний струм зміщення нуля:
0,5пА
IC: Oпераційний підсилювач; 3,2МГц; Ch: 1; 0,1мВ; IB: 1пА; Iio: 1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 3,2МГц; Ch: 1; 0,1мВ; IB: 1пА; Iio: 1пА

25,91 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Вхідний струм зміщення нуля:
1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 7МГц; Ch: 2; MSOP8; 0,01мВ; IB: 0,5пА
IC: Oпераційний підсилювач; 7МГц; Ch: 2; MSOP8; 0,01мВ; IB: 0,5пА

38,08 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
10мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5пА
Вхідний струм зміщення нуля:
0,5пА
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 2; TSSOP8; 1мВ; IB: 40000пА
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 2; TSSOP8; 1мВ; IB: 40000пА

13,68 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
40нА
Вхідний струм зміщення нуля:
40нА
IC: Oпераційний підсилювач; 8кГц; Ch: 1; 1,7÷3,6ВDC; SOT23-5; 3,1мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 8кГц; Ch: 1; 1,7÷3,6ВDC; SOT23-5; 3,1мВ

47,52 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
3,1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1пА