Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1050В; 0,95А; 60Вт; DPAK; ESD

Немає в наявності
Код товару: STD2N105K5
121,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STD2N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DPAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,05кВ
Опір в стані провідності: 8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 60Вт
Струм стока: 0,95А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 3,3кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±2%; 200В
Резистор: вуглецевий; 3,3кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±2%; 200В

3,99 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
1,4мм
Довжина:
3,8мм
Допуск:
±2%
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 60МГц; Ch: 4; 2,5÷5,5ВDC; VDFN8; 126дБ
IC: Oпераційний підсилювач; 60МГц; Ch: 4; 2,5÷5,5ВDC; VDFN8; 126дБ

105,17 грн

Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
8мВ
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 680мкФ; 63ВDC; 2000г
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 680мкФ; 63ВDC; 2000г

256,59 грн

Виводи:
осьові
Вид конденсатора:
low ESR
Ємність:
680мкФ
Імпеданс:
0,14Ом
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 50В; X7R; ±10%; 1206
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 50В; X7R; ±10%; 1206

7,60 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 127кОм; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 127кОм; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

55,75 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33нФ; 50В; X7R; ±10%; 0603
Конденсатор: керамічний; 33нФ; 50В; X7R; ±10%; 0603

0,30 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
33нФ
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD