IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; Uробоча: 2,7÷5,5В; SOT25

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: LMV321WG-7
14,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: LMV321WG-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем: low voltage; rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля: 7мВ
Кількість каналів: 1
Корпус: SOT25
Монтаж: SMT
Підсилення: 10дБ
Робоча напруга: 2,7...5,5В
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 1МГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 1В/мкс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0201

8,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 2,5В; 0,3А; SMD
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 2,5В; 0,3А; SMD

15,84 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,5В
Вихідний струм:
0,3А
Недоступний
Резистор: thick film; 28кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD
Резистор: thick film; 28кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

2,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,2В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,2В

22,81 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вихідна напруга:
1,2В
Вихідний струм:
0,3А
Вхідна напруга:
0,8...5,5В
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

3,74 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
IC: Oпераційний підсилювач; 800кГц; Ch: 4; 2,7÷16ВDC; SO14; 12мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 800кГц; Ch: 4; 2,7÷16ВDC; SO14; 12мВ

136,85 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
12мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,3нА
Вхідний струм зміщення нуля:
0,2нА
IC: Oпераційний підсилювач; 220кГц; Ch: 2; ±1,35÷3ВDC,2,7÷6ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 220кГц; Ch: 2; ±1,35÷3ВDC,2,7÷6ВDC

118,47 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
7нА
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 4; SOP8; 1мВ; IB: 1пА; Iio: 1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 4; SOP8; 1мВ; IB: 1пА; Iio: 1пА

27,12 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
low voltage; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Вхідний струм зміщення нуля:
1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 800кГц; Ch: 4; Uробоча: 5В; SOP14
IC: Oпераційний підсилювач; 800кГц; Ch: 4; Uробоча: 5В; SOP14

13,94 грн

Вхідна напруга зміщення нуля:
1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
20нА
Вхідний струм зміщення нуля:
20нА
Кількість каналів:
4
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 2; 0,01мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 2; 0,01мВ

166,62 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
10мкВ
Кількість каналів:
2
Монтаж:
SMT
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 4; SSOP-B14; 4мВ; IB: 1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 4; SSOP-B14; 4мВ; IB: 1пА

52,58 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
high speed; rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
4мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Вхідний струм зміщення нуля:
1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 2,8МГц; Ch: 4; SSOP-B14; 1мВ; IB: 1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 2,8МГц; Ch: 4; SSOP-B14; 1мВ; IB: 1пА

30,28 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
low voltage; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Вхідний струм зміщення нуля:
1пА