IC: Oпераційний підсилювач; 2,8МГц; Ch: 1; DIP8; 2мВ; туба; 1пА

Немає в наявності
Код товару: MCP603-E/P
30,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 660
Крок додавання: 60
Код товару: MCP603-E/P
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: туба
Властивості інтегральних мікросхем: low power; rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля: 2мВ
Вхідний поляризаційний струм: 1пА
Кількість каналів: 1
Корпус: DIP8
Монтаж: THT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 2,8МГц
Стандартне пакування виробника: 60шт.
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 2,3В/мкс
Connector: RJ12; socket; data transfer; PIN: 6; Cat 3; shielded
Connector: RJ12; socket; data transfer; PIN: 6; Cat 3; shielded

95,67 грн

Connector family:
data transfer
Висота профілю:
12,57мм
Електричний монтаж:
THT
Категорія Ethernet:
Cat 3
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 69А; 310Вт; TO263; SMB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 69А; 310Вт; TO263; SMB

484,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
91нКл
Корпус:
TO263
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 300В; 0,1А; 200мВт; SC70,SOT323
Транзистор: NPN; біполярний; 300В; 0,1А; 200мВт; SC70,SOT323

14,57 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70; SOT323
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
300В
Резистор: thick film; 130Ом; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%
Резистор: thick film; 130Ом; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%

0,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,6пФ
Резистор: thick film; 11,5Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 11,5Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

1,05 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±30%; 1А; ферит; H: 1,65мм; 105мОм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±30%; 1А; ферит; H: 1,65мм; 105мОм

24,33 грн

Високосортність:
8
Висота:
1,65мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
2,2мкГн
IC: Oпераційний підсилювач; 15МГц; Ch: 1; ±2,5÷8ВDC,5÷16ВDC; DIP8
IC: Oпераційний підсилювач; 15МГц; Ch: 1; ±2,5÷8ВDC,5÷16ВDC; DIP8

188,17 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
8мВ
Діапазон напруги живлення:
± 2,5...8В DC; 5...16В DC
Кількість каналів:
single; 1
IC: Oпераційний підсилювач; 100МГц; Ch: 2; ±2,75÷18ВDC,5,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 100МГц; Ch: 2; ±2,75÷18ВDC,5,5÷36ВDC

816,02 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
voltage feedback
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,4мВ
Діапазон напруги живлення:
± 2,75...18В DC; 5,5...36В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; ±1,5÷8ВDC,3÷16ВDC; DIP8
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; ±1,5÷8ВDC,3÷16ВDC; DIP8

86,16 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
low power
Вхідна напруга зміщення нуля:
10мВ
Діапазон напруги живлення:
± 1,5...8В DC; 3...16В DC
IC: вимірювальний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 1; DIP8; 1В/В,10кВ/В
IC: вимірювальний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 1; DIP8; 1В/В,10кВ/В

598,07 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
25мкВ
Діапазон напруги живлення:
± 2,25...18В DC; 4,5...36В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±3,5÷18ВDC,7÷36ВDC; DIP14
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±3,5÷18ВDC,7÷36ВDC; DIP14

55,75 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Діапазон напруги живлення:
± 3,5...18В DC; 7...36В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,7МГц; Ch: 2; ±2÷20ВDC,4÷40ВDC; DIP8
IC: Oпераційний підсилювач; 1,7МГц; Ch: 2; ±2÷20ВDC,4÷40ВDC; DIP8

407,38 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,5мВ
Діапазон напруги живлення:
± 2...20В DC; 4...40В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 800кГц; Ch: 1; ±2,6÷18ВDC; DIP8; 0,06мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 800кГц; Ch: 1; ±2,6÷18ВDC; DIP8; 0,06мВ

716,55 грн

Вид упаковки:
туба
Вхідна напруга зміщення нуля:
60мкВ
Діапазон напруги живлення:
± 2,6...18В DC
Кількість каналів:
1