Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 69А; 310Вт; TO263; SMB

Немає в наявності
Код товару: MSC030SMB120SDT/R
484,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: MSC030SMB120SDT/R
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 91нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 310Вт
Сімейство: SMB
Стандартне пакування виробника: 800шт.
Струм стока: 69А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 300В; 0,1А; 200мВт; SC70,SOT323
Транзистор: NPN; біполярний; 300В; 0,1А; 200мВт; SC70,SOT323

14,57 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70; SOT323
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
300В
Резистор: thick film; 130Ом; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%
Резистор: thick film; 130Ом; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%

0,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,6пФ
Резистор: thick film; 11,5Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 11,5Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

1,05 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±30%; 1А; ферит; H: 1,65мм; 105мОм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±30%; 1А; ферит; H: 1,65мм; 105мОм

24,33 грн

Високосортність:
8
Висота:
1,65мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
2,2мкГн
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2кОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,2кОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,29 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
1,2кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJU2RD
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJU2RD

1,38 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD