IC: Oпераційний підсилювач; 70÷130кГц; Ch: 4; ±2÷8ВDC,4÷16ВDC

Немає в наявності
Код товару: TLC27L4BIDR
57,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TLC27L4BIDR
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем: прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля: 2мВ
Діапазон напруги живлення: ± 2...8В DC; 4...16В DC
Кількість каналів: 4
Корпус: SO14
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...85°C
Смуга передачі: 70...130кГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 50мВ/мкс
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 36,8В; 8,26А; односпрямована; SMF,SOD123F
Діод: TVS; 400Вт; 36,8В; 8,26А; односпрямована; SMF,SOD123F

20,27 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SMF; SOD123F
Реактор: дротяний; SMD; 220мкГн; ±20%; 330мА; ферит; 520мОм
Реактор: дротяний; SMD; 220мкГн; ±20%; 330мА; ферит; 520мОм

6,46 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мГн
Матеріал стержня:
ферит
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 008004
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 008004

2,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 82кОм; прецизійний; SMD; 1210; 300мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 82кОм; прецизійний; SMD; 1210; 300мВт; ±0,1%

6,34 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Провід; OZ; OZ500-HMH-C; 2x4мм2; LSZH; сірий; 300В,500В; CPR: Dca
Провід; OZ; OZ500-HMH-C; 2x4мм2; LSZH; сірий; 300В,500В; CPR: Dca

451,72 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
OZ
Недоступний
Резистор: metal oxide; 100Ом; THT; 1Вт; ±5%; 500В; Ø2,5x6,5мм
Резистор: metal oxide; 100Ом; THT; 1Вт; ±5%; 500В; Ø2,5x6,5мм

1,74 грн

Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
Ø2,5x6,5мм
Кількість в наборі/упаковці:
2000шт.
Монтаж:
THT
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6А; 1,6Вт; SO8

0,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
8,1нКл
IC: Oпераційний підсилювач; 12МГц; Ch: 1; ±4÷30ВDC; SO8; 5мВ; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 12МГц; Ch: 1; ±4÷30ВDC; SO8; 5мВ; туба

373,16 грн

Вид упаковки:
туба
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1нА
Вхідний струм зміщення нуля:
0,1нА
IC: Oпераційний підсилювач; 120МГц; Ch: 1; ±4,5÷16ВDC,±9÷32ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 120МГц; Ch: 1; ±4,5÷16ВDC,±9÷32ВDC

416,24 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
High Speed
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Вхідний струм зміщення нуля:
400нА
IC: Oпераційний підсилювач; 700кГц; Ch: 1; ±5÷30ВDC; SO8; 900мкВ
IC: Oпераційний підсилювач; 700кГц; Ch: 1; ±5÷30ВDC; SO8; 900мкВ

1374,18 грн

Вид упаковки:
туба
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,9мВ
Діапазон напруги живлення:
± 5...30В DC
Кількість каналів:
1
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 1; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 1; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8

199,57 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
differential
Діапазон напруги живлення:
± 2,5...18В DC; 5...36В DC
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 4; ±1,5÷8ВDC,3÷16ВDC; SO14
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 4; ±1,5÷8ВDC,3÷16ВDC; SO14

122,28 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
6,5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,6нА
IC: Oпераційний підсилювач; 6МГц; Ch: 1; ±2÷22ВDC,4,4÷44ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 6МГц; Ch: 1; ±2÷22ВDC,4,4÷44ВDC; SO8

116,57 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,7мВ
Вхідний струм зміщення нуля:
150нА
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 2; 2,7÷16ВDC; SO8; 1,75мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 2; 2,7÷16ВDC; SO8; 1,75мВ

46,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,75мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА