1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6А; 1,6Вт; SO8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6А; 1,6Вт; SO8
Немає в наявності
Код товару: FDS6912A
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5
Код товару: FDS6912A
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Заряд затвора: 8,1нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 28мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: 6А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; 16МГц; LQFP100; I2C,IrDA,SPI,UART
IC: мікроконтролер MSP430; 16МГц; LQFP100; I2C,IrDA,SPI,UART

324,38 грн

Вид архітектури:
MSP430
Інтерфейс:
I2C; IrDA; SPI; UART
Кількість таймерів 16бит:
5
Корпус:
LQFP100
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 10A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 10A

17,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина контакту:
12,5мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Tap: metric; M6; right hand thread; 1; L: 80mm; 3.4mm
Tap: metric; M6; right hand thread; 1; L: 80mm; 3.4mm

299,04 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для некрізних отворів
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А

115,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 56А; Idm: 100А; 31Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 56А; Idm: 100А; 31Вт; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27,8нКл
Корпус:
DFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28,5А; Idm: 180А; 31,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28,5А; Idm: 180А; 31,6Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,6нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -9А; Idm: -36А; 2,8Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -9А; Idm: -36А; 2,8Вт; SOP8

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
27нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 1,9Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 1,9Вт

23,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,2нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8

34,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В