IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; ролик

Немає в наявності
Код товару: AS4C4M32S-6BINTR
516,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: AS4C4M32S-6BINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA90
Монтаж: SMD
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx32битx4
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 5,4нс
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; THT; straight
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; THT; straight

0,58 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
3
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 200В; 8Аx2; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 975мВ; туба
Діод: випрямний; SMD; 200В; 8Аx2; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 975мВ; туба

119,74 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Кількість в наборі/упаковці:
50шт.
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,9пФ
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 30В; DIP6
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 30В; DIP6

38,65 грн

CTR@If:
225-400%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
3В
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 0,47мкФ; 310В; 22,5мм; ±10%; THT
Конденсатор: поліестровий; 0,47мкФ; 310В; 22,5мм; ±10%; THT

9,88 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,016мкФ; 1,6кВDC; THT; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,016мкФ; 1,6кВDC; THT; ±5%

15,33 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
16нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
17,5мм
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II

503,04 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток

901,55 грн

Вид пам’яті:
DDR2; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
FBGA84
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II

249,62 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В