IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 200МГц; 35нс; FBGA24; -40÷105°C; лоток

Немає в наявності
Код товару: S70KL1282GABHB020
389,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 338
Крок додавання: 338
Код товару: S70KL1282GABHB020
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: DRAM
Вид упаковки: лоток
Інтерфейс: HyperBus
Корпус: FBGA24
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча температура: -40...105°C
Тактова частота: 200МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 35нс
Недоступний
Long-sleeved t-shirt; Size: XL; gray-navy blue; 190g/m2
Long-sleeved t-shirt; Size: XL; gray-navy blue; 190g/m2

523,32 грн

Вага:
190г/м2
Відповідність стандарту:
CE
Колір:
gray-navy blue
Матеріал:
бавовна
Недоступний
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

5,83 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 10А; 5A/277ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 10А; 5A/277ВAC

131,78 грн

Зовнішні розміри:
20x15,2x10мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
10А
Матеріал контакту:
AgSnO2
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; пригвинчуваний; 100Вт; ±5%; 38x25x9мм
Резистор: thick film; 10Ом; пригвинчуваний; 100Вт; ±5%; 38x25x9мм

1194,25 грн

Виводи:
гвинти M4
Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±5%
Кількість монтажних отворів:
2
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 41А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 41А

292,07 грн

Alias:
SV 7.62HP/07/90SF 3.5SN BK BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
14,9мм
Недоступний
Резистор: thin film; 7,15кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB
Резистор: thin film; 7,15кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB

11,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: NPN; біполярний; Darlington; 40В; 4А; 1,5/40Вт; TO126
Транзистор: NPN; біполярний; Darlington; 40В; 4А; 1,5/40Вт; TO126

11,02 грн

Вид транзистора:
Darlington
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO126
Монтаж:
THT
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II

249,62 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD