IC: пам'ять DRAM; 16ГбDRAM; 1Гx16бит; 1,6ГГц; FBGA96; 0÷95°C

Немає в наявності
Код товару: MT40A1G16TB-062E:F
6936,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1020
Крок додавання: 1020
Код товару: MT40A1G16TB-062E:F
Виробник: MICRON TECHNOLOGY
Вид пам’яті: DDR4; DRAM; SDRAM
Корпус: FBGA96
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,14...1,26В
Пам'ять: 16Гб DRAM
Робоча температура: 0...95°C
Структура пам'яті: 1Гx16бит
Тактова частота: 1,6ГГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 3; 10кА
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 3; 10кА

2482,90 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898; IEC EN 60947-2
Електрична стійкість:
20000 цикли
Кількість полюсів:
3
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 2x20AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 305м
Провід; Alpha Essential C&C; 2x20AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 305м

52440,51 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(UL) TYPE CMG FT4; UL 2095; UL CMG
Конденсатор: керамічний; 4,7мкФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; 4,7мкФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210

14,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; SMD4
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; SMD4

22,17 грн

Вид виходу:
транзисторний
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SMD4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206

4,50 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1206; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1206; 330мм

2,19 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Конденсатор: керамічний; 1,8пФ; 100ВDC; C0G (NP0); SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 1,8пФ; 100ВDC; C0G (NP0); SMD; 0603

5,45 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,8пФ
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD