1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті DRAM - інтеграль. схеми

IC: пам'ять DRAM; 16ГбDRAM; 1Гx16бит; 4,266ГГц; -40÷95°C; 1,1В

IC: пам'ять DRAM; 16ГбDRAM; 1Гx16бит; 4,266ГГц; -40÷95°C; 1,1В
Немає в наявності
Код товару: MT62F1G16D1DS-023 IT:B
6936,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1050
Крок додавання: 1050
Код товару: MT62F1G16D1DS-023 IT:B
Виробник: MICRON TECHNOLOGY
Вид пам’яті: DRAM; SDRAM
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,1В
Пам'ять: 16Гб DRAM
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 1Гx16бит
Тактова частота: 4,266ГГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,63 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 25ВDC; SMD; D; 2917; ±20%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 25ВDC; SMD; D; 2917; ±20%; -55÷125°C

53,85 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
Корпус:
D
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; ERJ6BQF
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; ERJ6BQF

2,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Резистор: thin film; 5,1Ом; 0402; 63мВт; ±1%; RT; 1x0,5x0,3мм
Резистор: thin film; 5,1Ом; 0402; 63мВт; ±1%; RT; 1x0,5x0,3мм

0,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
5,1Ом
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 55нс; VFBGA48; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 55нс; VFBGA48; паралельний

182,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
VFBGA48
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,5пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 24,9кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 24,9кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

126,71 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD