IC: пам'ять DRAM; 16ГбDRAM; 2,133ГГц; -40÷95°C; 1,1÷1,17В

Немає в наявності
Код товару: MT53E512M32D1ZW-046 IT:B TR
4476,69 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: MT53E512M32D1ZW-046 IT:B TR
Виробник: MICRON TECHNOLOGY
Вид пам’яті: DRAM; LPDDR4; SDRAM
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,1...1,17В
Пам'ять: 16Гб DRAM
Робоча температура: -40...95°C
Тактова частота: 2,133ГГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Недоступний
Резистор: thick film; 280кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 280кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0603

8,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 12Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 12Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

8,62 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 165Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 165Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Варистор: оксидно-цинковий; THT; 60ВAC; 85ВDC; 100В; 2,5кА; Ø: 10мм
Варистор: оксидно-цинковий; THT; 60ВAC; 85ВDC; 100В; 2,5кА; Ø: 10мм

6,21 грн

Виводи:
прямі
Вид упаковки:
сумка
Висота:
10мм
Діаметр:
10мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 0,3м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; ПВХ
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 0,3м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; ПВХ

635,45 грн

Довжина кабелю:
0,3м
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
помаранчевий
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603

11,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II

503,04 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток

901,55 грн

Вид пам’яті:
DDR2; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
FBGA84
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II

249,62 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD