IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78

Немає в наявності
Код товару: AS4C128M8D3B-12BINTR
1148,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: AS4C128M8D3B-12BINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA78
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Гб DRAM
Робоча напруга: 1,5В
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 128Мx8бит
Тактова частота: 800МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,75нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,6пФ; 100В; X8G; ±0,05пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,6пФ; 100В; X8G; ±0,05пФ; 0201

1,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
4,6пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 220кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 220кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 165Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 165Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 26AWG; ПВХ; зелений; 600В; 305м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 26AWG; ПВХ; зелений; 600В; 305м

11409,67 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878/1 (Type E)
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 450Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 450Вт

6302,59 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вид корпусу:
995A
Вихідна напруга:
36В DC
Вихідний струм:
12,5А
Недоступний
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,05 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 62; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 62; SMT; straight

235,05 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
15,5мм
Електричний монтаж:
SMT
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD