IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60

Немає в наявності
Код товару: AS4C128M8D2A-25BCNTR
1186,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: AS4C128M8D2A-25BCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR2; SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA60
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Гб DRAM
Робоча напруга: 1,8В
Робоча температура: 0...85°C
Структура пам'яті: 128Мx8бит
Тактова частота: 400МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 12,5нс
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12 ALTW; IP68; метал; код A; 2А; 8мм2; 24AWG
Кабель: до датчиків; M12 ALTW; IP68; метал; код A; 2А; 8мм2; 24AWG

2102,76 грн

Довжина проводу:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Клас герметичності:
IP68
Конструкція кабелю/переходу:
з обох сторін; М12 "папа"
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

2,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,8пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 100В; X8R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 100В; X8R; ±20%; SMD; 0603

2,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Недоступний
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD