IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 16Mx8битx8; 333МГц; 15нс; TWBGA60

Немає в наявності
Код товару: IS43DR81280C-3DBLI
357,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 242
Крок додавання: 242
Код товару: IS43DR81280C-3DBLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR2; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TWBGA60
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,9В DC
Пам'ять: 1Гб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 16Mx8битx8
Тактова частота: 333МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 15нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,8пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,8пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,8пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 1200мкФ; 250ВDC; Ø30x50мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 1200мкФ; 250ВDC; Ø30x50мм

346,55 грн

Висота:
50мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм
Діаметр:
30мм
Допуск:
±20%
Резистор: thick film; 3,9кОм; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,9кОм; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 76,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 76,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

0,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206

4,88 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Резистор: вуглецевий; 240Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,4x28мм
Резистор: вуглецевий; 240Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,4x28мм

0,44 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 274Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 274Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II

503,04 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток

901,55 грн

Вид пам’яті:
DDR2; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
FBGA84
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II

249,62 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD