IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 64Mx16бит; 1066МГц; 12,5нс; TWBGA96

Немає в наявності
Код товару: IS43TR16640C-125JBL
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 190
Крок додавання: 190
Код товару: IS43TR16640C-125JBL
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TWBGA96
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,5В DC
Пам'ять: 1Гб DRAM
Робоча температура: 0...95°C
Структура пам'яті: 64Mx16бит
Тактова частота: 1,066ГГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12,5нс
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

4,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
15нФ
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷80А,96А,160А; Клас: 1,5; 72x72мм
Амперметр; на панель; I AC: 0÷80А,96А,160А; Клас: 1,5; 72x72мм

3094,28 грн

Вимір:
струму AC
Властивості вимірювальних приладів:
вказує на найвище досягнуте значення струму; миттєве вимірювання струму
Вхідний струм:
1А; 1,2А; 2А
Клас герметичності:
IP52
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 1,2кВ; 2А; TO220-2; Ufmax: 1,9В
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 1,2кВ; 2А; TO220-2; Ufmax: 1,9В

46,88 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO220-2
Монтаж:
THT
IC: стабілізатор напруги; 3,3В; 500мА; SMD; -40÷105°C; Ch: 1
IC: стабілізатор напруги; 3,3В; 500мА; SMD; -40÷105°C; Ch: 1

77,93 грн

Вихідна напруга:
3,3В
Вихідний струм:
0,5А
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 4ВDC; X6S; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 4ВDC; X6S; ±10%; SMD; 0201

0,66 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Недоступний
Провід; EcoCable®; 2x16AWG; MPPE; сірий; 600В; 30,5м; 100футів
Провід; EcoCable®; 2x16AWG; MPPE; сірий; 600В; 30,5м; 100футів

43791,23 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; подвійно екранований; фольга Al-PET-Al
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
FT2; UL 21915
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 4; THT
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 4; THT

19,64 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
буфер; контролер лінії; неінвертуючий
Кількість каналів:
4
Корпус:
DIP14
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II

503,04 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток

901,55 грн

Вид пам’яті:
DDR2; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
FBGA84
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II

249,62 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В