IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 200МГц; 35нс; FBGA24; -40÷125°C; лоток

Немає в наявності
Код товару: S80KS5122GABHM020
620,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 676
Крок додавання: 676
Код товару: S80KS5122GABHM020
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: DRAM
Вид упаковки: лоток
Інтерфейс: HyperBus
Корпус: FBGA24
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...2В DC
Пам'ять: 256Мб DRAM
Робоча температура: -40...125°C
Тактова частота: 200МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 35нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 50В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 50В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 0402

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
4,7пФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 3A; 100V

194,50 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5,3кВ; Uce: 30В; SMD6
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5,3кВ; Uce: 30В; SMD6

72,23 грн

CTR@If:
20%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Відповідність стандарту:
UL
Кількість каналів:
1
Недоступний
Без гайки,з подовженим різьбленням; M25; 1,5; IP68; поліамід
Без гайки,з подовженим різьбленням; M25; 1,5; IP68; поліамід

133,68 грн

Type of cable gland:
cable
Версія введення:
без гайки; з подовженим різьбленням
Вживання кабельних аксесуарів:
з'єднання RJ45
Вид різьблення:
метрична
Недоступний
Резистор: thick film; 1,37Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,37Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
1,37Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 665кОм; SMD; 2010; ±1%; RK73H; 200В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 665кОм; SMD; 2010; ±1%; RK73H; 200В; 100ppm/°C

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 7,87Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 5000шт.
Резистор: thick film; 7,87Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 5000шт.

1,01 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD