IC: пам'ять DRAM; 2ГбDRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84

Немає в наявності
Код товару: IS43DR16128C-25DBL
710,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 209
Крок додавання: 209
Код товару: IS43DR16128C-25DBL
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR2; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TWBGA84
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,9В DC
Пам'ять: 2Гб DRAM
Робоча температура: 0...85°C
Структура пам'яті: 16Mx8битx8
Тактова частота: 400МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12,5нс
Недоступний
Алмазна пила; Ø: 30мм; кераміка,глазурі; M14
Алмазна пила; Ø: 30мм; кераміка,глазурі; M14

960,47 грн

Використання інструментів:
глазурі; кераміка
Діаметр:
30мм
Розмір гнізда тримача - різьба:
M14
Тип аксесуарів для електричних інструментів:
алмазна пила
Недоступний
Резистор: thin film; 150Ом; SMD; 0805; 200мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thin film; 150Ом; SMD; 0805; 200мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

1,06 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V

136,21 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
11,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,05 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 75А; Idm: 360А; 3,2Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 75А; Idm: 360А; 3,2Вт; TO252

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
TO252
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: -5ВDC; Uвих.2: 5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: -5ВDC; Uвих.2: 5ВDC

911,05 грн

Вихідна напруга:
-5В DC
Вихідна напруга 2:
5В DC
Вихідний струм:
-800мА
Вхідна напруга:
9...36В DC
Тиристор: AC switch; 700В; Ifмакс: 1А; Igt: 10мА; SOT223; SMD; ASD™
Тиристор: AC switch; 700В; Ifмакс: 1А; Igt: 10мА; SOT223; SMD; ASD™

72,23 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
internally triggered
Зворотна напруга макс.:
700В
К-ть перемикачів:
1
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD